Южнокорейским ученым из Университета науки и техники Пхохан удалось преодолеть технологические ограничения в производстве полупроводников. Они создали инновационный метод, позволяющий выращивать металлические полупроводники, или транзисторы, размером менее одного нанометра. Результаты их исследования опубликованы в авторитетном научном журнале Nature Nanotechnology (NatNano).
Ученые разработали способ создания крошечных транзисторов
Изображение взято с:

В обычных процессах производства полупроводников минимально возможный размер составляет несколько нанометров из-за ограничений разрешения литографии. Ученые успешно решили эту проблему, используя двойную зеркальную границу двумерного дисульфида молибдена. Это одномерная металлическая структура толщиной всего 0,4 нанометра, образующаяся между кристаллами материала. Зеркальная граница создается с помощью процесса эпитаксиального наращивания соединения.

Руководитель исследования Чо Мунхо выразил уверенность, что их открытие станет «ключевой технологией» для развития маломощных и высокопроизводительных электронных устройств. «Одномерная металлическая фаза, полученная путем эпитаксиального роста, — это новый материальный процесс, — заявил он. — Он может использоваться для создания сверхминиатюрных транзисторов, что открывает перед нами широкие возможности».

Примечательно, что ранее этим ученым удалось создать золотую фольгу толщиной всего в один атом. Их разработки прокладывают путь к созданию еще более компактных и эффективных электронных устройств в будущем.

Источник: www.gazeta.ru

Читайте также

Поделитесь:


Антивоенное этническое движение «Новая Тыва» (New Tuva), Транс, Некоммерческая организация «Фонд защиты прав граждан «Штаб», Региональная общественная правозащитная организация «Союз «Женщины Дона» признаны в РФ иностранными агентами.